C2M0080120D 參數如下：
產品屬性 屬性值 搜索類似 制造商:
Cree, Inc.
 
產品種類:
MOSFET
 
RoHS:
 詳細信息
 
技術:
SiC
 
安裝風格:
Through Hole
 
封裝 / 箱體:
TO-247-3
 
通道數量:
1 Channel
 
晶體管 性:
N-Channel
 
Vds-漏源 擊穿電壓:
1200 V
 
Id-連續漏 電流:
31.6 A
 
Rds On-漏源導通電阻:
98 mOhms
 
Vgs - 柵 -源 電壓:
- 5 V, 20 V
 
Vgs th-柵源 閾值電壓:
4 V
 
Qg-柵 電荷:
71 nC
 
小工作溫度:
- 55 C
 
大工作溫度:
+ 150 C
 
Pd-功率耗散:
208 W
 
配置:
Single
 
通道模式:
Enhancement
 
封裝:
Tube
 
高度:
21.1 mm
 
長度:
16.13 mm
 
產品:
Power MOSFETs
 
晶體管類型:
1 N-Channel
 
類型:
Silicon Carbide Power MOSFET
 
寬度:
5.21 mm
 
商標:
Wolfspeed / Cree
 
正向跨導 - 小值:
3.9 S
 
下降時間:
21 ns
 
產品類型:
MOSFET
 
上升時間:
34 ns
 
工廠包裝數量:
30
 
子類別:
MOSFETs
 
典型關閉延遲時間:
23.2 ns
 
典型接通延遲時間:
12 ns
 
單位重量:
38 g


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